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技術文章
TECHNICAL ARTICLES
更新時間：2025-08-29
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一、EUV掩模：芯片制造的“光學模板"
與傳統透射式光掩模不同，EUV掩模采用反射式設計（因EUV光易被材料吸收）。其表面吸收層的高度變化需精確控制，才能實現13.5nm極紫外光的精準反射與衍射。
關鍵挑戰：
•吸收層臺階高度誤差需<1nm
•多層膜表面粗糙度要求<0.2nm
二、S neox測量系統：亞納米精度的三大突破
1. 白光干涉技術
通過分析反射光干涉條紋的相位變化，實現三維形貌納米級重建，可精準捕捉吸收層微結構：
2. 0.01nm縱向分辨率
相當于1個硅原子直徑的1/20，能檢測到肉眼不可見的膜層凸起或凹陷：
3. 高效動態掃描
•單視野掃描僅需2秒（50倍物鏡）
•自適應光學系統實時優化光路，應對表面傾斜或反射率變化：
三、從實驗室到量產：測量技術如何賦能制造？
? 缺陷檢測
識別吸收層殘留物、多層膜剝落等致命缺陷，避免數千萬美元的晶圓報廢：
? 工藝優化
量化刻蝕與沉積工藝的均勻性，推動良率提升：
四、結語
隨著3nm以下制程的演進，EUV掩模的測量精度需求將持續攀升。Sensofar S neox為代表的測量技術，正在為摩爾定律的延續鋪設“看不見的基石"